文献
J-GLOBAL ID:200902033556150831
整理番号:86A0349406
1000°CにおいてSiO2薄膜を通す酸素輸送の同位体トレーサを用いた二次イオン質量分析法による研究
Isotopic tracer studies of oxygen transport through SiO2 films at 1000°C using secondary ion mass spectrometry.
著者 (2件):
HAN C J
(Stanford Univ., California)
,
HELMS C R
(Stanford Univ., California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
5
ページ:
1767-1769
発行年:
1986年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)