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文献
J-GLOBAL ID：200902033604333544
整理番号：87A0064740
プラズマ促進化学蒸着による高品質二酸化けい素の低温堆積
Low-temperature deposition of high-quality silicon dioxide by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
BATEY J
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
TIERNEY E
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 60 号： 9 ページ： 3136-3145 発行年： 1986年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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