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文献
J-GLOBAL ID：200902033988982390
整理番号：88A0563774
0.1μmゲート長レベルのNMOS素子の高相互コンダクタンスと速度オーバーシュート
High transconductance and velocity overshoot in NMOS devices at the 0.1-μm gate-length level.
SAI-HALASZ G A
(IBM Research Division, NY, USA)
,
WORDEMAN M R
(IBM Research Division, NY, USA)
,
KERN D P
(IBM Research Division, NY, USA)
,
RISHTON S
(IBM Research Division, NY, USA)
,
GANIN E
(IBM Research Division, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 9 号： 9 ページ： 464-466 発行年： 1988年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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