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文献
J-GLOBAL ID：200902033997205836
整理番号：90A0238659
オリゴチオフェンを基礎にしたFET 動作の仕方と改良法
The oligothiophene-based field-effect transistor: How it works and how to improve it.
HOROWITZ G
(Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA)
,
PENG X
(Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA)
,
FICHOU D
(Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA)
,
GARNIER F
(Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 67 号： 1 ページ： 528-532 発行年： 1990年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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