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文献
J-GLOBAL ID：200902034006598912
整理番号：86A0284949
PECVDによるIII-V半導体面のSiOxNyの成長と界面の研究
The growth and interface study of PECVD SiOxNy on III-V semiconductors.
LIN M-S
(National Tsing-Hua Univ., Taiwan)
,
WU C-Y
(National Tsing-Hua Univ., Taiwan)
,
CHOU T-Y
(National Tsing-Hua Univ., Taiwan)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 36 号： 1/3 ページ： 129-132 発行年： 1986年01月
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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