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文献
J-GLOBAL ID：200902034096695857
整理番号：87A0032889
空乏MOSFETにおける集積-パンチスルー・モードのシミュレーション
Simulation of the accumulation-punchthrough mode in depletion MOSFETs.
TARASEWICZ S W
(Northern Telecom Electronics Ltd., Ontario, CAN)
,
SALAMA C A T
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 29 号： 10 ページ： 1025-1033 発行年： 1986年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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