文献
J-GLOBAL ID:200902034761605929
整理番号:86A0339069
半絶縁GaAsにおけるキャリアの移動度と密度
Mobility and concentration of carriers in semi-insulating gallium arsenide.
著者 (1件):
FORNARI R
(Inst. MASPEC C.N.R., Italy)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
29
号:
5
ページ:
589-590
発行年:
1986年05月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)