文献
J-GLOBAL ID:200902035274911999
整理番号:90A0104750
高低両反射格子構造を備えた1.5μmGaInAsP/InP分布反射型(DR)レーザ
1.5μm GaInAsP/InP distributed reflector(DR) laser with high-low reflection grating structure.
著者 (5件):
AOKI M
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
,
KOMORI K
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
,
ARAI S
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
,
SUEMATSU Y
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
25
号:
24
ページ:
1650-1651
発行年:
1989年11月23日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)