文献
J-GLOBAL ID:200902035476201497
整理番号:87A0034458
連続三塩化物気相エピタクシー法で製作した背景ドーピングの極めて低い高速InP/Ga0.47In0.53As超格子アバランシェフォトダイオード
High-speed InP/Ga0.47In0.53As superlattice avalanche photodiodes with very low background doping grown by continuous trichloride vapor-phase epitaxy.
著者 (7件):
MATTERA V D JR
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
CAPASSO F
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
ALLAM J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
HUTCHINSON A L
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
DICK J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
BROWN J M
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
WESTPHAL A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
60
号:
7
ページ:
2609-2612
発行年:
1986年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)