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文献
J-GLOBAL ID：200902037345353650
整理番号：88A0292281
ECRプラズマCVD法により作製した窒化けい素膜における水素濃度と結合構造
Hydrogen concentration and bond configurations in silicon nitride films prepared by ECR plasma CVD method.
HIRAO T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
SETSUNE K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
KITAGAWA M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
KAMADA T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
WASA K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
,
TSUKAMOTO K
(Matsushita Technoresearch Inc., Moriguchi, JPN)
,
IZUMI T
(Tokai Univ., Hiratsuka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 27 号： 1 ページ： 30-34 発行年： 1988年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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