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文献
J-GLOBAL ID：200902037405468843
整理番号：90A0283079
単結晶β-SiC半導体薄膜のエピタキシャル成長,ドーピングおよびデバイス開発
Epitaxial growth and doping of and device development in monocrystalline β-SiC semiconductor thin films.
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 181 ページ： 1-15 発行年： 1989年12月10日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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