文献
J-GLOBAL ID:200902037940128563
整理番号:90A0343439
完全に空乏化したやせたチャネルのトランジスタ(DELTA) 新垂直型超薄膜SOI MOSFET
A fully depleted lean-channel transistor(DELTA). A novel vertical ultra thin SOI MOSFET.
著者 (4件):
HISAMOTO D
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAGA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAMOTO Y
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKEDA E
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1989
ページ:
833-836
発行年:
1989年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)