文献
J-GLOBAL ID:200902038186306731
整理番号:88A0293222
イオン注入して急速熱アニールした半-絶縁性多結晶シリコンの導電率
Conductivity of ion implanted and rapid thermal annealed semi-insulating polycrystalline silicon.
著者 (6件):
OZGUEZ V H
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
WORTMAN J J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
HAUSER J R
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
LITTLEJOHN M A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
ROZGONYI G A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
CURRAN P
(Texas Instruments, Inc., TX, USA)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
135
号:
3
ページ:
665-671
発行年:
1988年03月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)