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文献
J-GLOBAL ID：200902038940991748
整理番号：91A0180626
反応性イオンビームスパッタリングによるZr-N薄膜の作製
Synthesis of Zr-N thin film by reactive ion beam sputtering.
YOSHITAKE M
(Industrial Technology Research Inst. Osaka Prefecture, Osaka)
,
YOTSUYA T
(Industrial Technology Research Inst. Osaka Prefecture, Osaka)
,
TAKIGUCHI K
(Industrial Technology Research Inst. Osaka Prefecture, Osaka)
,
OGAWA S
(Industrial Technology Research Inst. Osaka Prefecture, Osaka)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 29 号： 12 ページ： 2800-2808 発行年： 1990年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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