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文献
J-GLOBAL ID：200902039381949511
整理番号：89A0396254
n型及びp型MOSFETにおける反転層中の移動度の普遍性
On the universality of inversion-layer mobility in n- and p-channel MOSFET’s.
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IWASE M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1988 ページ： 398-401 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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