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文献
J-GLOBAL ID：200902041755522783
整理番号：91A0554146
Si(100)上へのGeの低温成長
Low-temperature growth of Ge on Si(100).
EAGLESHAM D J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
CERULLO M
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 20 ページ： 2276-2278 発行年： 1991年05月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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