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文献
J-GLOBAL ID：200902041896071610
整理番号：92A0142781
スピンオン源からの不純物の急速熱拡散によるシリコン上への浅い接合の形成
Shallow-Junction Formation on Silicon by Rapid Thermal Diffusion Impurities from a Spin-on Source.
USAMI A
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
ANDO M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
TSUNEKANE M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
WADA T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 39 号： 1 ページ： 105-110 発行年： 1992年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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