文献
J-GLOBAL ID:200902042442286430
整理番号:86A0429683
任意の水素濃度をもつa-SiHxの電子構造
Electronic structure of a-SiHx with arbitrary hydrogen concentration.
著者 (3件):
WILKE S
(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)
,
MASEK J
(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)
,
VELICK<span style=text-decoration:overline>Y ́</span> B
(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻:
135
号:
1
ページ:
309-319
発行年:
1986年05月
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)