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文献
J-GLOBAL ID：200902042464630356
整理番号：92A0009001
領域選択MOCVD成長により製造した斬新な構造のMQW電場吸収変調器/DFBレーザ集積化素子
Novel structure MQW electroabsorption modulator/DFB-laser integrated device fabricated by selective area MOCVD growth.
AOKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SANO H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKAI A
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 27 号： 23 ページ： 2138-2140 発行年： 1991年11月07日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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