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文献
J-GLOBAL ID:200902042464630356   整理番号:92A0009001

領域選択MOCVD成長により製造した斬新な構造のMQW電場吸収変調器/DFBレーザ集積化素子

Novel structure MQW electroabsorption modulator/DFB-laser integrated device fabricated by selective area MOCVD growth.
著者 (6件):
AOKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
SANO H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
SUZUKI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
TAKAHASHI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
UOMI K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
TAKAI A
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 27  号: 23  ページ: 2138-2140  発行年: 1991年11月07日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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