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文献
J-GLOBAL ID：200902042498512565
整理番号：88A0402790
高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi2形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果
Effects of backsputtering and amorphous silicon capping layer on the formation of TiSi2 in sputtered Ti films on (001)Si by rapid thermal annealing.
CHEN L J
(Xerox Palo Alto Research Center, CA, USA)
,
WU I W
(Xerox Palo Alto Research Center, CA, USA)
,
CHU J J
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
NIEH C W
(California Inst. Technology, CA, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 63 号： 8 Pt1 ページ： 2778-2782 発行年： 1988年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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