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文献
J-GLOBAL ID：200902043477019342
整理番号：87A0240589
その場偏光解析法による水素化非晶質シリコン成長への基板構造の影響
Influence of substrate structure on the growth of hydrogenated amorphous silicon studied by in situ ellipsometry.
COLLINS R W
(Standard Oil Research and Development, OH, USA)
,
CAVESE J M
(Standard Oil Research and Development, OH, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 60 号： 12 ページ： 4169-4176 発行年： 1986年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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