文献
J-GLOBAL ID:200902044194861922
整理番号:91A0622010
イオンフラックスドープ・セルフアライン技術による低温プロセスpoly Si TFT-LCD
Self aligned poly-Si TFTs for LCDs fabricated at low temperature by advanced ion implantation process.
著者 (7件):
赤塚実
(旭硝子中研)
,
増茂邦雄
(旭硝子中研)
,
高藤聡
(旭硝子中研)
,
浅川辰司
(旭硝子中研)
,
くにが田昌也
(旭硝子中研)
,
白倉広文
(旭硝子中研)
,
結城正記
(旭硝子中研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
91
号:
116(ED91 33-44)
ページ:
67-71
発行年:
1991年06月27日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)