文献
J-GLOBAL ID:200902044837948400
整理番号:86A0336651
分子ビームエピタキシー法で作ったヘテロエピタキシャルInSbおよびこれを用いた金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタの室温作動
Heteroepitaxial molecular beam epitaxial InSb and room temperature operation of its metal-insulator-semiconductor field-effect transistors.
著者 (7件):
OHASHI T
(Cornell Univ., New York)
,
BOUR D P
(Cornell Univ., New York)
,
ITOH T
(Cornell Univ., New York)
,
BERRY J D
(Cornell Univ., New York)
,
JOST S R
(Cornell Univ., New York)
,
WICKS G W
(Cornell Univ., New York)
,
EASTMAN L F
(Cornell Univ., New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
2
ページ:
622-624
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)