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文献
J-GLOBAL ID：200902044868115148
整理番号：86A0560443
rfマグネトロンスパッタリングによるけい素をドープした伝導度と透明度が高い酸化亜鉛薄膜
Highly conductive and transparent silicon doped zinc oxide thin films prepared by rf magnetron sputtering.
MINAMI T
(Kanazawa Inst. Technology)
,
SATO H
(Kanazawa Inst. Technology)
,
NANTO H
(Kanazawa Inst. Technology)
,
TAKATA S
(Kanazawa Inst. Technology)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 25 号： 9 ページ： L776-L779 発行年： 1986年09月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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