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文献
J-GLOBAL ID：200902044904490562
整理番号：91A0352590
光ディスクメモリ用のGeTe-Sb2Te3凝二元系非晶質薄膜の急速相転移
Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory.
YAMADA N
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
OHNO E
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
NISHIUCHI K
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
AKAHIRA N
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
TAKAO M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 69 号： 5 ページ： 2849-2856 発行年： 1991年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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