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文献
J-GLOBAL ID：200902044982651521
整理番号：87A0187871
VLSIデバイスのためのシリコン結晶成長とエピタキシャル層蒸着
Silicon crystal growth and epitaxial layer deposition for VLSI devices.
DAVIS W H
(AT&T, PA, USA)
,
LAVIGNA R J
(AT&T, PA, USA)
,
REHRIG D L
(AT&T, PA, USA)
,
REUSSER R E
(AT&T, NJ, USA)
,
WILLIAMS G
(AT&T, NJ, USA)
資料名：
AT&T Technical Journal
(AT&T Technical Journal)
巻： 65 号： 4 ページ： 74-85 発行年： 1986年07月
JST資料番号： B0062A ISSN： 8576-2324 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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