文献
J-GLOBAL ID:200902045000340885
整理番号:91A0229919
Si(100)上のエピタキシャルNiSi2界面におけるSchottky障壁の不均一性
Schottky-barrier inhomogeneity at eqitaxial NiSi2 interfaces on Si(100).
著者 (4件):
TUNG R T
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
LEVI A F J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SULLIVAN J P
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SCHREY F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
66
号:
1
ページ:
72-75
発行年:
1991年01月07日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)