文献
J-GLOBAL ID:200902045214418644
整理番号:86A0262720
高温における半導体CdInGaS4の指数的吸収端
Exponential absorption edge in the semiconductor CdInGaS4 at high temperatures.
著者 (4件):
TOYODA T
(Nippon Mining Co. Ltd., Toda)
,
NAKANISHI H
(Univ. Tokyo, Noda)
,
ENDO S
(Science Univ. Tokyo)
,
IRIE T
(Science Univ. Tokyo)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
19
号:
2
ページ:
L21-L24
発行年:
1986年02月14日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)