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文献
J-GLOBAL ID：200902045245160726
整理番号：86A0280370
半絶縁性GaAs中の残留アクセプタの定量的評価手段としてのRaman散乱
Raman scattering as a quantitative tool for residual acceptor assessment in semi-insulating GaAs.
WAGNER J
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
SEELEWIND H
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
,
KAUFMANN U
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkoerperphysik, West Germany)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 48 号： 16 ページ： 1054-1056 発行年： 1986年04月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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