文献
J-GLOBAL ID:200902045385512843
整理番号:87A0163483
MOCVD選択成長で作ったInGaAlPの横モード安定化可視レーザダイオード
InGaAlP transverse mode stabilized visible laser diodes fabricated by MOCVD selective growth.
著者 (7件):
ISHIKAWA M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OHBA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
WATANABE Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAGASAKA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUGAWARA H
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAMOTO M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HATAKOSHI G
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials
(Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ:
153-156
発行年:
1986年
JST資料番号:
K19860706
ISBN:
4-930813-14-X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)