文献
J-GLOBAL ID:200902045479218612
整理番号:86A0323250
水素化非晶質SiN<sub>x</sub>10<x<1.2)プラズマ蒸着膜の電気的性質
The electronic properties of plasma-deposited films of hydrogenated amorphous SiN<sub>x</sub> (0<x<1.2)
著者 (3件):
LOWE A J
(Univ. Cambridge)
,
POWELL M J
(Philips, United Kingdom)
,
ELLIOTT S R
(Univ. Cambridge)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
59
号:
4
ページ:
1251-1258
発行年:
1986年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)