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文献
J-GLOBAL ID：200902046088013141
整理番号：89A0009488
ホットエレクトロンストレスによるn-MOSFETの漏れ電流劣化
Leakage current degradation in n-MOSFET’s due to hot-electron stress.
DUVVURY C
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
REDWINE D J
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
STIEGLER H J
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 9 号： 11 ページ： 579-581 発行年： 1988年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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