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文献
J-GLOBAL ID：200902046097481905
整理番号：85A0168555
二酸化けい素のドライエッチング機構 直接反応性イオンエッチングの場合
Mechanism of dry etching of silicon dioxide. A case of direct reactive ion etching.
STEINBRUECHEL C
(Lab. RCA Ltd., Switzerland)
,
LEHMANN H W
(Lab. RCA Ltd., Switzerland)
,
FRICK K
(Lab. RCA Ltd., Switzerland)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 132 号： 1 ページ： 180-186 発行年： 1985年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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