文献
J-GLOBAL ID:200902046171152455
整理番号:85A0363690
イオン注入におけるウエハ充電とビーム相互作用
Wafer charging and beam interactions in ion implantation.
著者 (9件):
MACK M E
(EATON Corp., Massachusetts)
,
RYDING G
(EATON Corp., Massachusetts)
,
DOUGLAS-HAMILTON D H
(EATON Corp., Massachusetts)
,
STEEPLES K
(EATON Corp., Massachusetts)
,
FARLEY M
(EATON Corp., Massachusetts)
,
GILLIS V
(EATON Corp., Massachusetts)
,
WHITE N
(EATON Corp., Massachusetts)
,
WITTKOWER A
(Zymet Corp., Massachusetts)
,
LAMBRACHT R
(Digital Equipment Corp., Massachusetts)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
6
号:
1/2
ページ:
405-411
発行年:
1985年01月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)