文献
J-GLOBAL ID:200902046537838649
整理番号:86A0298376
炭化けい素単結晶の低圧成長
Low-pressure growth of single-crystal silicon carbide.
著者 (6件):
HARRIS G L
(Howard Univ., Washington, DC)
,
JACKSON K H
(Howard Univ., Washington, DC)
,
FELTON G J
(Howard Univ., Washington, DC)
,
OSBORNE K R
(Howard Univ., Washington, DC)
,
FEKADE K
(Howard Univ., Washington, DC)
,
SPENCER M G
(Howard Univ., Washington, DC)
資料名:
Materials Letters
(Materials Letters)
巻:
4
号:
2
ページ:
77-80
発行年:
1986年02月
JST資料番号:
E0935A
ISSN:
0167-577X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)