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文献
J-GLOBAL ID：200902047295172558
整理番号：90A0050775
集束イオンビーム(FIB)促進蒸着による酸化けい素膜の形成
Silicon oxide film formation by focused ion beam(FIB)-assisted deposition.
KOMANO H
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
OGAWA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
TAKIGAWA T
(Toshiba Corp., Kawasaki)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 28 号： 11 ページ： 2372-2375 発行年： 1989年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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