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文献
J-GLOBAL ID：200902047477799009
整理番号：88A0180393
低温(750°C)でのエピタキシャルシリコン蒸着のためのアルゴンイオンの低線量照射によるシリコン表面の清浄化 I プロセスの考察
Silicon surface cleaning by low dose argon-ion bombardment for low-temperature (750°C) epitaxial silicon deposition. I. Process considerations.
COMFORT J H
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
GARVERICK L M
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
REIF R
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 62 号： 8 ページ： 3388-3397 発行年： 1987年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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