文献
J-GLOBAL ID:200902047763769745
整理番号:87A0136543
a-Si:H/a-Si0.2C0.8:H超構造におけるホットエレクトロン伝導
Hot electron conduction in a-Si:H/a-Si0.2C0.8:H super structure.
著者 (3件):
YOSHIMOTO M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUYUKI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
25
号:
11
ページ:
L922-L924
発行年:
1986年11月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)