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文献
J-GLOBAL ID：200902048119520449
整理番号：87A0405294
オプトエレクトロニク集積回路のための半絶縁GaAs基板内に作られた平面TJS(transverse junction stripe)レーザ
Planar TJS lasers fabricated in semi-insulating GaAs substrates for optoelectronic integrated circuits.
ISHII M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN)
,
KAMON K
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN)
,
SHIMAZU M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN)
,
MIHARA M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN)
,
KUMABE H
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
,
ISSHIKI K
(Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 23 号： 5 ページ： 179-181 発行年： 1987年02月26日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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