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文献
J-GLOBAL ID：200902048123352836
整理番号：93A0380555
ストレインドシリコン/リラックスドシリコン-ゲルマニウム構造により作られたNMOSとPMOSトランジスタ
NMOS and PMOS Transistors Fabricated in Strained Silicon/Relaxed Silicon-Germanium Structures.
WELSER J
(Solid State Electronics Lab., CA)
,
HOYT J L
(Solid State Electronics Lab., CA)
,
GIBBONS J F
(Solid State Electronics Lab., CA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992 ページ： 1000-1002 発行年： 1992年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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