文献
J-GLOBAL ID:200902048443469545
整理番号:87A0530865
GaAs MESFET製造における応力集中とその緩和
Stress intensification in the fabrication of GaAs MESFET and its relaxation.
著者 (4件):
野上毅
(東芝 総研)
,
福田勝義
(東芝 総研)
,
長岡正見
(東芝 超LSI研)
,
飯田典男
(東芝 半導体事業部)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
87
号:
173
ページ:
75-82(ED87-87)
発行年:
1987年09月18日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)