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文献
J-GLOBAL ID：200902048820752605
整理番号：90A0052131
SiH2Cl2/C3H8/H2/HClガス系による低温からのSi上β-SiCの選択成長
Low-temperature and selective growth of β-SiC using the SiH2Cl2/C3H8/H2/HCl gas system.
OHSHITA Y
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
ISHITANI A
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 66 号： 9 ページ： 4535-4537 発行年： 1989年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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