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文献
J-GLOBAL ID：200902049547775830
整理番号：92A0316843
CdTe層のMOVPE成長におけるヒ素取込みの機構
Mechanism of arsenic incorporation in MOVPE growth of CdTe layers.
EKAWA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
YASUDA K
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
OKADA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
FERID T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
TANAKA A
(Sunmitomo Metal Mining Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAJI M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 117 号： 1/4 ページ： 254-258 発行年： 1992年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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