文献
J-GLOBAL ID:200902049726741485
整理番号:92A0782375
Ga活性化Si(111)表面上のSiの分子ビームエピタキシャル成長
Molecular beam epitaxial growth of Si on Ga-activated Si(111) surface.
著者 (2件):
NAKAHARA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
ICHIKAWA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
61
号:
13
ページ:
1531-1533
発行年:
1992年09月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)