文献
J-GLOBAL ID:200902050542378475
整理番号:90A0294433
Si(111)表面の理想的水素終端
Ideal hydrogen termination of the Si(111) surface.
著者 (4件):
HIGASHI G S
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
CHABAL Y J
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
TRUCKS G W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
RAGHAVACHARI K
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
56
号:
7
ページ:
656-658
発行年:
1990年02月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)