文献
J-GLOBAL ID:200902051121425535
整理番号:92A0807077
GaN膜上に成長させた高品質InGaN膜
High-Quality inGaN Films Grown on GaN Films.
著者 (2件):
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Industries, Ltd., Tokushima)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
31
号:
10B
ページ:
L1457-1459
発行年:
1992年10月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)