文献
J-GLOBAL ID:200902051277223550
整理番号:87A0253320
金属有機気相エピタクシーで成長したGa0.5In0.5Pにおける秩序状態の存在の証拠およびそのバンドギャップエネルギーとの関係
Evidence for the existence of an ordered state in Ga0.5 In0.5 P grown by metalorganic vapor phase epitaxy and its relation to band-gap energy.
著者 (6件):
GOMYO A
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI T
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
KOBAYASHI K
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAWATA S
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
HINO I
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
YUASA T
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
50
号:
11
ページ:
673-675
発行年:
1987年03月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)