文献
J-GLOBAL ID:200902051436375501
整理番号:84A0242815
塩化物輸送気相エピタクシーにより成長し,選択的にドープしたInP/In0.53Ga0.47Asヘテロ構造における二次元電子ガス
Two-dimensional electron gas in a selectively doped InP/In0.53Ga0.47As heterostructure grown by chloride transport vapor phase epitaxy.
著者 (3件):
TAKIKAWA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
KOMENO J
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
,
OZEKI M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
43
号:
3
ページ:
280-282
発行年:
1983年08月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)