文献
J-GLOBAL ID:200902051811093322
整理番号:86A0252027
レーザアニーリングとイオン衝突によるインジウム酸化物層の抵抗調節
Resistance modification of indium oxide layers by laser annealing and ion bombardment respectively.
著者 (4件):
HAISMA J
(Philips, The Netherlands)
,
BIERMANN U K P
(Philips, The Netherlands)
,
PEERSMAN J
(Philips, The Netherlands)
,
ZALM P C
(Philips, The Netherlands)
資料名:
Philips Journal of Research
(Philips Journal of Research)
巻:
41
号:
1
ページ:
77-82
発行年:
1986年
JST資料番号:
D0313A
ISSN:
0165-5817
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)