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文献
J-GLOBAL ID:200902052711157451   整理番号:89A0005957

広バンドギャップ半導体であるダイアモンド,GaNおよびSiCに関する将来の研究領域の状況の批判的評価

Critical evaluation of the status of the areas for future research regarding the wide band gap semiconductors diamond, gallium nitride and silicon carbide.
著者 (9件):
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
SITAR Z
(North Carolina State Univ., NC, USA)
WILLIAMS B E
(North Carolina State Univ., NC, USA)
KONG H S
(North Carolina State Univ., NC, USA)
KIM H J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
PALMOUR J W
(North Carolina State Univ., NC, USA)
EDMOND J A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
RYU J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
GLASS J T
(North Carolina State Univ., NC, USA)

資料名:
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

巻:号:ページ: 77-104  発行年: 1988年08月 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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